1、同量異位離子干擾

來源：兩種不同元素的質(zhì)量幾乎相同的同位素所造成的干擾。

如：133In+——133Cd+
        115In+——115Sn+
          40Ar+——40Ca+

消除：另選測定同位素、采用高分辨質(zhì)譜儀、計(jì)算機(jī)軟件校正。

2、多原子分子離子干擾

來源：在離子的引出過程中，由等離子體中的組分與基體或大氣中的組分相互作用形成的多原子離子所引起的干擾。

如：14N2+——28Si+
        14N16O1H+——31P+

消除：扣空白校正、反應(yīng)/碰撞池技術(shù)、另選分析同位素。

3、氧化物和氫氧化物離子干擾

來源：由分析物、基體組分、溶劑和等離子氣體等形成的氧化物和氫氧化物所引起的干擾。

如：62TiO+——62Ni+
        65TiO+——65Cu+

消除：優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件如功率、載氣流速、去溶進(jìn)樣、反應(yīng)/碰撞池技術(shù)、校正方法等。

4、儀器和試樣制備所引入的雜質(zhì)離子干擾

來源：采樣錐和分離錐材料中濺出的金屬離子以及試劑和水中微量雜質(zhì)離子所造成的干擾。

如：鎳錐中濺射出的Ni+約為2 ng/mL;
酸和去離子水中的Cu+、Zn+為ng/mL級(jí)

消除：降低等離子體的點(diǎn)位、使用超純?cè)噭┖退⑹褂孟跛崛芙夤腆w（因?yàn)榈碾婋x電位高，其分子離子相當(dāng)弱）

5、基體效應(yīng)：試樣中各成分對(duì)分析元素測量的總效應(yīng)。

來源：低電離能元素的電離抑制了待測元素的電離，以及提升量和霧化效率不同影響分析物的電離和ICP溫度等所引起的干擾。

消除：稀釋、基體匹配、標(biāo)準(zhǔn)加入、內(nèi)標(biāo)法或同位素稀釋等。